(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.
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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.