Press Review

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.followupnewsworld.com/news/tecnologia/2024/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

De nouveaux dispositifs innovants, tels que les mémoires résistives (ReRAM) qui stockent les données en modifiant leur résistance, plus rapide et avec une consommation moindre par rapport aux méthodes traditionnelles.

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L'étude a été réalisée en collaboration avec la fondation Imdea Nanociencia de Madrid, la KU Leuven belge, la Sissa de Trieste et le Diamond Light Source, un synchrotron anglais, et publiée dans la revue « Nature Communications ».

https://www.nouvelles-du-monde.com/consommation-reduite-et-memoires-a-vitesse-plus-elevee-la-revolution-vient-ditalie/

Il team del professor Claudio Giannetti ha lavorato su un tipo di isolanti capaci di passare allo stato conduttivo. La ricerca dell'università aprirà le porte allo sviluppo di nuovi device A I difetti nella struttura di materiali isolanti possono avviare la trasformazione del materiale in conduttore. La scoperta è emersa grazie a uno studio condotto dall' università Cattolica di Brescia e pubblicato sulla prestigiosa rivista «Nature Communications». 

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I nostri risultati sperimentali sono ben supportati da un modello teorico sviluppato dal prof. Michele Fabrizio della Sissa (Scuola internazionale superiore di studi avanzati)».

https://www.giornaledibrescia.it/gdb-futura/alla-cattolica-di-brescia-unimportante-scoperta-sui-nuovi-materiali-j31w25y1

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://porta-portese.com/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://ultimenews24.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.adnkronos.com/tecnologia/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione_6RnJyWqzXaqnOjNLeYeYMq

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.tgabruzzo24.com/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.viverelombardia.it/2024/11/16/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocit-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/379066/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.viveregorizia.it/altrigiornali/177/379065-2024

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.viverefriuliveneziagiulia.it/2024/11/16/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocit-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/379065/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.ilmonito.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.padovanews.it/2024/11/15/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.informamolise.com/economia/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.viverepordenone.it/altrigiornali/177/379065-2024

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.sulpanaro.net/2024/11/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.vetrinatv.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

[...]

Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.viverelombardia.it/2024/11/16/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocit-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/379066/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.giornaleinfocastelliromani.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

Aindo Fondata in seno alla SISSA di Trieste da Daniele Panfilo, Sebastiano Saccani e Borut Svara, ha creato e brevettato una piattaforma per la generazione di dati sintetici finalizzata alla protezione della privacy, conseguendo la Europrivacy, un sistema di certificazione elaborato in un programma di ricerca europeo e sostenuto dalla Commissione Europea.

https://agevolazioni.adessonews.eu/2024/11/14/le-top-10-startup-dellinnovazione-b2b-finsubito-prestito-immediato/

Venerdì 15 novembre alle 18 nuovo appuntamento con la rassegna letteraria di Librerie.Coop Modena Duomo "Una Grande libreria in Piazza", negli spazi della libreria in corso Duomo 39: protagonista l'autore Daniele Gouthier per la presentazione del libro "Matematica fuori dalle regole - guida di sopravvivenza per genitori e insegnanti" (edito da Feltrinelli) in dialogo con l'autore Barbara Cuoghi. Un libro per coltivare l'intelligenza matematica oltre le formule, stimolando la curiosità, l'interesse e la passione di bambini e adolescenti. La matematica, si sa, è materia difficile e, come si dice spesso, o la ami o la odi. 

https://www.modenatoday.it/eventi/matematica-fuori-dalle-regole-daniele-gouthier-libreria-coop-15-novmebre-2024.html