Press Review

Torna il Teatro della Meraviglia, il festival nato dalla creatività di Università di Trento e Arditodesìo per avvicinare il pubblico ai grandi temi della ricerca scientifica. Sono quattordici gli appuntamenti ospitati dal 19 al 23 novembre al Teatro Sociale, al Teatro Cuminetti, al Teatro Portland e nello spazio Le Garage Lab di vicolo Dalla Piccola. 

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Alle 18, Nico Pitrelli, direttore del master in Comunicazione della Scienza "Franco Prattico" della Sissa di Trieste, e Luigi Civalleri, scrittore, traduttore e docente del master, sono protagonisti del dialogo "Il microscopio delle lettere". Alle 20.30, il palco è tutto per Telmo Pievani e la Banda Osiris con "Allegro bestiale. Viaggio ai confini della biodiversità".

https://www.gazzettadellevalli.it/eventi/unitrento-la-scienza-che-stupisce-493066

Gli ebrei americani sono un microcosmo spesso in evidenza, frammentato e a volte pure tirato per la giacchetta, come si è visto più volte anche nella campagna elettorale per le presidenziali appena archiviata.

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La sua eredità sarà affrontata nel seminario "Trieste, Edoardo Weiss e la psicoanalisi", in programma mercoledì 20 novembre alle 18 al Museo della Letteratura di Trieste, a cura del Laboratorio Interdisciplinare della Sissa in collaborazione con il Comune. Ne parleranno gli psicoanalisti David Meghnagi e Rita Corsa, coordinati dalla neuroscienziata Raffaella Rumiati.

In occasione del 20° anniversario della rivista scientifica Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment - JSTAT, SISSA Medialab è lieta di invitarvi all'evento: "Può la fisica aiutare nella lotta contro le malattie neuro degenerative?" con Alex Rogriduez (UniTS). Le malattie neuro degenerative rappresentano un importante problema di salute a livello mondiale, essendo responsabili della maggior parte dei casi di demenza diagnosticati (nel 2018 si contavano circa 24 milioni di persone affette da Alzheimer).

https://www.triesteprima.it/eventi/malattie-neuro-degenerative.html

Servivano le rigide scadenze del Pnrr per riscattare il Terrapieno di Barcola e proporre un progetto (realizzabile) per quell'area per anni profondamente inquinata, posta sotto sequestro, inutilizzabile.
Nato come discarica tra la fine degli anni Settanta e l'inizio degli anni Ottanta, inaugurato sotto il grido d'allarme di Enpa e Wwf, il Terrapieno avrebbe dovuto accogliere la nuova sede della Fiera, essere il punto di partenza di un tunnel sottomarino tra l'ex Porto Franco e il Porto Nuovo e ospitare l'ambizioso Parco del Mare.

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In quegli anni, peraltro, era emerso come sotto le ceneri, presumibilmente scaricate sul Terrapieno tra il 1978 e il 1981, vi sarebbero anche le macerie dei crolli causati dai bombardamenti angloamericani del 1944 e 1945, il materiale di scavo della galleria ferroviaria di circonvallazione e gli inerti dei lavori eseguiti per edificare le sedi dell'Ictp e della Sissa.

In edicola

Un veicolo di 120 metri, il Saturno, portò l'umanità sulla Luna oltre mezzo secolo fa. Oggi, lo SpaceX Starship, un colosso della stessa lunghezza, segna una nuova era nel trasporto interplanetario. Al quinto volo di prova, avvenuto lo scorso 13 ottobre, il razzo a due stadi ha completato una manovra senza precedenti, rivoluzionaria per il trasporto nel Sistema solare, verso la totale riutilizzabilità dei veicoli spaziali.

https://www.ilnordest.it/societa/space-x-starship-trasporto-spaziale-rivoluzione-yfwgx2f5

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://corrieremassacarrarese.it/italia-mondo/tecnologia/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://corrieremassacarrarese.it/italia-mondo/tecnologia/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.viveretrieste.it/altrigiornali/177/379065-2024

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://corrieretoscano.it/italia-mondo/tecnologia/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.webmagazine24.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://ilcentrotirreno.it/sito/tecnologia/193748-memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dall-italia-arriva-la-rivoluzione.html

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.cagliarilivemagazine.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://comunicatistampa.org/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.followupnewsworld.com/news/tecnologia/2024/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

De nouveaux dispositifs innovants, tels que les mémoires résistives (ReRAM) qui stockent les données en modifiant leur résistance, plus rapide et avec une consommation moindre par rapport aux méthodes traditionnelles.

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L'étude a été réalisée en collaboration avec la fondation Imdea Nanociencia de Madrid, la KU Leuven belge, la Sissa de Trieste et le Diamond Light Source, un synchrotron anglais, et publiée dans la revue « Nature Communications ».

https://www.nouvelles-du-monde.com/consommation-reduite-et-memoires-a-vitesse-plus-elevee-la-revolution-vient-ditalie/

Il team del professor Claudio Giannetti ha lavorato su un tipo di isolanti capaci di passare allo stato conduttivo. La ricerca dell'università aprirà le porte allo sviluppo di nuovi device A I difetti nella struttura di materiali isolanti possono avviare la trasformazione del materiale in conduttore. La scoperta è emersa grazie a uno studio condotto dall' università Cattolica di Brescia e pubblicato sulla prestigiosa rivista «Nature Communications». 

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I nostri risultati sperimentali sono ben supportati da un modello teorico sviluppato dal prof. Michele Fabrizio della Sissa (Scuola internazionale superiore di studi avanzati)».

https://www.giornaledibrescia.it/gdb-futura/alla-cattolica-di-brescia-unimportante-scoperta-sui-nuovi-materiali-j31w25y1

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://porta-portese.com/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://ultimenews24.it/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione/

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.adnkronos.com/tecnologia/memorie-a-minor-consumo-e-maggiore-velocita-dallitalia-arriva-la-rivoluzione_6RnJyWqzXaqnOjNLeYeYMq

(Adnkronos) – Nuovi dispositivi innovativi, come memorie resistive (ReRAM) che memorizzano dati cambiando la propria resistenza, più veloci e con consumi minori se paragonati ai metodi tradizionali. Ma anche interruttori elettrici a bassa energia per ridurre i consumi dell’elettronica e migliorare così le prestazioni dei sistemi di calcolo e memoria. Sono molteplici le applicazioni di una nuova scoperta italiana che ha mostrato come i cosiddetti ‘materiali di Mott’ – ovvero un tipo di isolanti fondamentalmente diversi dagli isolanti convenzionali, in grado di passare dallo stato isolante a quello conduttivo – possono cambiare stato proprio a causa dei difetti topologici nella loro struttura cristallina.

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Lo studio è stato svolto assieme alla fondazione Imdea Nanociencia di Madrid, la KU Leuven belga, la Sissa di Trieste e il Diamond Light Source, sincrotrone inglese, e pubblicato sulla rivista 'Nature Communications'.

https://www.tgabruzzo24.com/